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可控硅整流器:可控硅整流器:是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,氧化电源定制,以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子...


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可控硅整流器:

可控硅整流器:是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,氧化电源定制,以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件,具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说,它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管,由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极,典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性,在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态,即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时,阳极氧化电源,器件迅速转变到低电压大电流的通导状态.

       


可控硅整流器的结构

通常用双三极管来描述可控硅的四层结构,看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数),贵州氧化电源,导通的必要条件是α1+α2?1.阻断状态下, 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下,于控制极注入一正向电流,则NPN管的电流放大系数α1迅速增大,并导致α2的增大,从而满足导通条件

              


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